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CMOS电路瞬态电流测试及其解析模型研究

焦慧芳  陈新军  张晓松  
【摘要】:CMOS电路瞬态电流(IDDT)测试技术,在超高速高可靠芯片故障诊断领域有着良好的应用前景。由于芯片上集成度和工作速度越来越高,IDDT迅速增长,降低了其性能和可靠性,研究IDDT快速准确计算方法具有较强的应用需求。本文介绍了CMOS电路IDDT测试技术的发展及其基本原理和方法,深入分析了CMOS电路电流成份和特性,利用PSPICE及MOSFET仿真模型,建立了具有较高精度的瞬态电流解析模型。提出撬杠电流("crowbar")相对于电容充电电流,在高速下不仅不小甚至可能更大,在电流分析时不可忽略。

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