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电弧离子镀AIN薄膜的光致发光性能的研究

邱万奇  蔡明  钟喜春  余红雅  刘仲武  曾德长  
【摘要】:在电弧离子镀弧靶前加挡板以去除大颗粒污染,分别在Si(100)基底上制备非掺杂的纯AlN薄膜,在石英玻璃基底上制备Cu掺杂的AlN薄膜.用X射线衍射(XRD)分析表明,纯AlN膜为弱(100)多晶织构,而掺Cu的AlN薄膜为非晶结构;X射线光电子能谱(XPS)研究表明,Cu掺杂AlN薄膜中,Cu为+1价,原子百分含量为11%;光致发光谱显示纯AlN薄膜发紫光(~400nm),Cu掺杂的AlN薄膜发蓝光(~450nm).

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