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等离子体预处理提高金刚石薄膜/基体间结合力

李建国  胡东平  
【摘要】:正采用等离子体预处理技术和优化的金刚石薄膜沉积工艺,以期为金刚石薄膜涂层工具的制备开发一种新的实用易行的表面预处理方法。等离子体预处理和金刚石薄膜沉积都在自行研制的热丝CVD系统中进行的。等离子体预处理是在脱炭气氛中进行,基体温度控制在硬质合金的再结晶温度范围内,处理总时间为2 h。金刚石薄膜沉积工艺参数:V(CH4):V(H2)=2%,反应气压为3.0 kPa,基体温度850℃,时间为5 h。采用3组样品:原始样品、常规处理样品(Murakami溶液处理)和等离子体预处理样品进行金刚石薄膜沉积。

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