火花离子源引出束流特性
【摘要】:正由于涉及高压和电离辐射等诸多的因素,长期以来,没有找到一种有效的手段对某特种电真空器件用火花离子源引出束流进行诊断。为此,用CR-39径迹探测器技术和直接照相法对火花离子源引出束流作用在靶部件上和加速间隙空间的分布进行了初步的诊断研究。其中为了避免高压和电离辐射的影响,将特种
|
|
|
|
1 |
尹雪梅;李斌;师谦;;双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应[J];电子质量;2007年11期 |
2 |
陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,张国强,严荣良;OP07运算放大器的电离辐射损伤和退火特性研究[J];半导体技术;1997年01期 |
3 |
胡浴红,赵元富,王英民;辐射加固54HC系列集成电路的研制[J];半导体技术;1999年02期 |
4 |
何宝平;张凤祁;姚志斌;;MOS器件辐照过程和辐照后效应模拟[J];计算物理;2007年01期 |
5 |
王妙康;;辉光放电型谱[J];光源与照明;2006年04期 |
6 |
何宝平;姚志斌;;互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究[J];物理学报;2010年03期 |
7 |
袁桐;;钯银铜焊料[J];真空电子技术;1981年06期 |
8 |
赵元富;硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究[J];半导体技术;1997年04期 |
9 |
牛振红;郭旗;任迪远;刘刚;高嵩;;SiGe HBT与Si BJT的~(60)Co射线总剂量辐照效应比较[J];固体电子学研究与进展;2007年03期 |
10 |
張恩虬;;阴极电子学的发展方向[J];科学通报;1959年13期 |
11 |
蒋传贵,欧阳远良,王海燕,赖忠;电真空器件用贵金属钎料溅散性影响因素[J];云南大学学报(自然科学版);2002年S1期 |
12 |
;电真空器件[J];电子科技文摘;2006年01期 |
13 |
成永东;李明光;;闭空间气源对器件真空性能的影响[J];真空电子技术;2007年02期 |
14 |
陈喜棠;;电真空器件阴极的技术检测[J];真空电子技术;1990年01期 |
15 |
苏世民;;当代电子学的标志——真空微电子学[J];微纳电子技术;1991年05期 |
16 |
程耀进,程宏昌,师宏立,李敏;电真空器件管壳耐压特性分析[J];真空电子技术;2005年03期 |
17 |
崔云康;张晓兵;雷威;肖梅;狄云松;王金婵;毛福明;;电真空器件残气质谱分析和贮存寿命的快速测试研究[J];真空科学与技术学报;2007年01期 |
18 |
;昆山国力真空电器有限公司[J];真空电子技术;2007年04期 |
19 |
;昆山国力真空电器有限公司[J];真空电子技术;2010年05期 |
20 |
周祜;高辐射场中光纤维的传输损耗[J];光通信技术;1981年03期 |
|