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半导体激光二极管激励光导开关的实验

施志贵  罗剑波  费三国  
【摘要】:正利用半导体激光二极管(LD)激励光导开关的实验装置如图1所示。LD波长为904nm, 峰值功率为70W,脉冲上升时间为21ns,脉冲下降时间为70ns,脉冲宽度为85ns,重复频率为600Hz。光导开关采用电阻率高达108Ω·cm的半绝缘掺铬砷化镓(GaAs:Cr)晶片通过金属化和光刻工艺制成。开关电极间隙为0.5mm,电极宽度为2mm。实验电路为普

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