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辐射烧蚀CH薄膜理论研究

盛家田  李沄生  冯庭桂  张利发  李蒙  
【摘要】:正研究CH材料辐射烧蚀对研究辐射对靶丸的烧蚀规律是十分重要的。通过对CH材料烧蚀厚度,烧穿时间,出外界面辐射流等物理量研究,从理论上加深对辐射烧蚀规律和特性的认识,以便更有效地校对程序,使得内爆压缩过程模拟更精确。采用RDMG一维辐射输运程序详细计算和分析了平板CH靶厚度(1-30μm)对辐射烧蚀的影响。

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