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不同中子辐射模拟源半导体器件辐射损伤等效关系

贾温海  赵汝清  刘月珠  
【摘要】:正由于半导体辐射损伤与中子能量相关,因此利用不同中子辐射模拟源开展半导体器件的中子辐射损伤效应研究时,必须确定不同源之间的损伤等效关系。采用理论和实验测定相结合的方法,确定了国内常用的几种中子模拟源的辐射损伤等效关系,主要辐射源有:清华大学核能研究院#200反应堆:中国工程物理研究院核物理与化学研究所的CFBR-Ⅱ脉冲反应堆和兰州大学14MeV强流中子源。

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