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元器件和单元电路辐照效应的计算机模拟

谢泽元  
【摘要】:正脉冲γ射线入射到半导体内,使半导体原子受激,产生电子空穴对。在P-N结耗尽区内产生的载流子,由外加反向电场收集,形成漂移电流。而耗尽区外产生的载流子,由于载流子浓度梯度的存在,要扩散过结,由外加电场收集,形成扩散电流。漂移电流与扩散电流之

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