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中频磁控溅射法制备BCN薄膜

陈友明  张广安  王鹏  杨生荣  张俊彦  
【摘要】:采用中频磁控溅射技术,使用N2和Ar混合气体作为反应气体,分别溅射硼靶和石墨靶,在单晶硅衬底上制备了BCN薄膜。利用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构和化学组成进行了分析,结果表明,N元素在薄膜中主要是以B-N和C=N键合形式存在;另外,分析表明薄膜中还存在B-C键,这说明制备的BCN薄膜并非是石墨和h-BN简单的物理混合,而是B、C、N三种元素形成的具有一定原子比的化合物。

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