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InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料与器件

马文全  
【摘要】:正锑化物InAs/GaSb二类超晶格材料具有二型能带结构,电子有效质量大,俄歇复合率低,波长调节范围大(约3-30微米),在高性能制冷型红外探测器领域具有重要应用。与碲镉汞红外探测器相比,二类超晶格红外探测器材料均匀性好,成本低,在中波及长波波段与碲镉汞探测器性能相当,在甚长波波段则有较大优

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