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纳米氮化镓的制备、光学性质与理论模拟

胡晓琳  庄乃锋  章永凡  陈德贤  陈建中  李俊篯  
【摘要】:氮化镓(GaN)是近十年发展起来的一种前景甚佳的直接宽带隙半导体材料,在室温下带隙宽为3.39eV,具有优良的光、电学性质和优异的机械性质及热稳定性,在高亮度LED、光学存储、激光打印以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势。由于制备GaN单晶、薄膜或量子点材料均需要以高质量、单相的GaN粉末作为前体原料,因此本文开展了GaN粉末的制备、光学性质与理论模拟的研究。

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