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Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的模拟研究

王全彪  杨瑞东  杨宇  
【摘要】:考虑表面扩散各向异性和二聚体、二聚体列作用的影响,建立了Si(100)-(2×1)重构表面上Si薄膜生长的KineticMonteCarlo(KMC)模型,利用该模型对Si薄膜生长的初始阶段进行了研究。发现吸附原子的扩散长度随温度的变化满足指数函数L=L0+AeT/C。在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高。随温度的升高和入射率的减小,薄膜逐渐从离散生长向紧致生长转变。

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