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加籽晶升华法生长SiC单晶过程中料石墨化影响因素的研究

李河清  陈小龙  倪代秦  吴星  
【摘要】:正加籽晶升华法是迄今为止生长SiC单晶最成熟的方法。采用石墨坩埚时,料发生石墨化是造成生长不稳定性的重要因素之一。料发生石墨化将可能伴随生长晶体的石墨化,造成微管、位错和多型结构形成,并使生长速率大大降低。本文研究了生长温度、温度梯度以及Ar压力对升华法生长SiC单晶过程中料石墨化行为的影响规律。研究认为,对于SiC+C系统,在高温平衡状态下,汽相中Si,C原子数之比随温度升高而下降,而Si,C原子数之差则随温度升高而增加。尤其

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