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化学溶液沉积法制备掺镧Bi_2Ti_2O_7薄膜及其性质的研究

杨雪娜  王弘  尚淑霞  姚伟峰  张寅  刘延辉  周静涛  
【摘要】:正随着半导体技术的不断发展,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的特征尺寸不断缩小,单个芯片上器件的集成度越来越高。集成电路芯片的发展基本遵循了Intel公司Gordon Moore1965年预言的摩尔定律,即半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长,传统的栅介质材料SiO_2的厚度正迅速逼近量子隧穿区域,在这个区域,随着绝缘栅厚度的减小,漏电流呈现指数级的增长,同时能量的消耗也大大增加。为解决这一问题,必须使用具有较高介电常数和低漏电流的材料来取代现有的SiO_2。Bi_2Ti_2O_7薄膜具有较高的相对介电常数和低的漏电流,有望作为代替SiO_2栅绝缘层的Higk-k材料之

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