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金刚石薄膜/氧化锌薄膜异质结研制和性质研究

杨洁  
【摘要】:正金刚石薄膜由于具有优异的半导体性质而被人们给予厚望。但是由于n型金刚石薄膜制备一直没有显著进展,使金刚石薄膜器件难以实现。我们采用直接在p型金刚石薄膜制备n型氧化锌薄膜的方法,通过气相沉积的方法组装出金刚石薄膜/氧化锌薄膜异质结构,最终采用光刻和欧姆接触技木制备出异质结。n型氧化锌薄膜的厚度约为500nm,电阻率为1.05×

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