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Li_2O含量对B_2O_3-SiO_2玻璃陶瓷材料介电性能的影响

王少洪  周和平  
【摘要】:正B_2O_3-SiO_2陶瓷具有很低的介电常数和介电损耗,符合高频片式元器件材料的要求。早在1989年MacDowell和Beall使用微晶玻璃法制备出该体系材料。另外也有国外学者使用溶胶凝胶工艺,并添加P_2O_5,合成了B_2O_3-SiO_2系玻璃和玻璃陶瓷。近年来,国内也有一些学者使用固相合成法和溶胶凝胶法对该体系进行了研究,但是都制备的材料介电损耗比较高(3×10~(-3),1MHz)且强度太差。Li_2O能够降低熔制温度和增加流动性。ZnO在电子陶瓷工业中常作为助溶剂使用,用来增加

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