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液相形成温度处保温对Si_3N_4陶瓷热导率的影响

徐伟  宁晓山  吕鑫  陈克新  周和平  
【摘要】:正Si_3N_4陶瓷作为一种传统的结构材料,具有优异的机械性能。而最近的研究结果显示,Si_3N_4陶瓷具有高的本征热导率[320W/(m·K)],因此可能成为一种理想的电子陶瓷基板材料。目前主要采用液相烧结的方法来获得高热导率Si_3N_4陶瓷,在液相共晶温度处形成的液相通过毛细作用使坯体产生收缩,减小颗粒之间的距离,为进一步烧结奠定基础。实验中采用目前制备高热导率Si_3N_4陶瓷中最常用的Y_2O_3-MgO体系,用干压和冷等静压两种成型方法,在1750℃液相形成温度点处分别保温0h、1h和2h后,缓慢升温到1900℃的烧结温度,探讨液相形成温度处保温对Si_3N_4陶瓷热导率和烧结性能的影响。结

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