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阳极氧化铝模板法制备硅纳米线

王昕  韩高荣  
【摘要】:正硅集成电路的应用改变了当今世界的面貌,但传统硅材料是间接带隙半导体难以实现硅基光电集成。近年来的研究发现由于纳米材料的量子限制效应,使得材料的能带结构发生变化,有可能实现高效率的硅基发光,一维硅纳米线因其特异的结构与性能成为研究的热点。然而,常用的制备方法如激光烧蚀、化学气相沉积、物理蒸发很难控制纳米产物的形貌、尺寸分布及取向,且反应温度较高并常引入催化剂,不利于实际应用。采用两步阳极氧化法,将经退火、抛光的高纯铝片在0.3mol/L

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