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碳化硅-氧化铝陶瓷的超高压烧结研究

谢茂林  罗德礼  鲜晓斌  冷邦义  谢东华  鲁伟员  范辉  
【摘要】:采用低温超高压(LT-HP)技术在4.5Gpa/1250℃/20min 工艺条件下制备了添加不同 Al_2O_3助烧结剂量的纳米碳化硅(SiC)陶瓷,研究了烧结的 SiC 陶瓷的物相组成、微观结构、显微硬度等。结果表明:Al_2O_3是有效的低温烧结助剂,LT-HP 工艺下添加2%Al_2O_3(质量百分数,后同)即可使 SiC 陶瓷全致密化;随着 Al_2O_3含量的增加显微硬度有所提高;烧结体致密无裂纹及孔隙。

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