梯度掺杂半导体电场强度的数值计算
【摘要】:单晶硅电池具有重量轻、体积小、效率高、光谱响应范围广等优点,一直占据着光伏市场的最大份额。但由于硅是间接跃迁型材料,其效率和电池的厚度密切相关。为了节约能源,降低硅电池的成本,人们一直努力研制硅片薄但效率高的电池。近年来提出了在功能层进行梯度掺杂的方案,文献报道,梯度掺杂可以使 n-ZnSe/p-GaAs 太阳电池开路电压增加209mV。
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