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GSS软件1-0.1微米MOS器件基准测试

贡顶  宣春  张相华  
【摘要】:本文使用西北核技术研究所自行开发的二维通用半导体模拟软件 GSS[1]对 1um、0.35um 以及 90nm 沟道长度的 MOS 器件进行了基准测试。其中,1um 器件测试结果与商用软件 MEDICI 进行比对;0.35um 器件测试结果与 Berkeley 0.35um CMOS Baseline 实验结果进行比对;90nm 器件测试结果则与 MIT Well-Tempered 计划实验结果进行比对。最终的结果显示,GSS 软件针对1um 器件模拟结果与 MEDICI 软件符合很好;0.35um 以及90nm 器件数值模拟结果与实验结果最大误差控制在10%以内。基准测试显示了 GSS 软件的正确性,以及进行超深亚微米器件模拟的能力。

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