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平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制

张万昌  何高魁  黄小健  乌如恭桑  孙亮  
【摘要】:本文叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能X射线探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5 mm2、 10mm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm2的探测器在室温及温差电致冷条件下对55Fe5.9KeV X射线的能谱响应测量结果。

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