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Co离子对纳米掺杂BaTiO_3基抗还原介质的影响

李波  唐斌  袁颖  周晓华  张树人  
【摘要】:采用纳米掺杂工艺制备BaTiO_3基抗还原介质,重点研究Co离子对介电性能和微观结构的掺杂效应。结果表明,在BT-Y-Mg体系中,添加Co能提高陶瓷致密度(~-5.9g/cm~3)和晶粒均匀性(~-0.5μm);掺杂Co能促使壳-芯结构形成,由于Co高子扩散将导致晶粒壳增大和芯减小,从而提高室温介电常数并显著改善电容温度稳定性;受主Co离子能有效抑制自由电子浓度,增强抗还原性,降低介质损耗并大幅提升绝缘电阻率。掺杂0.5mol%Co样品性能最佳:K_(25℃)≈3000,tgδ1.5%,R_i≈10~(12)Ω·cm,△C/C±10%达到X7R。

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