--《》年论文

【摘要】：本文根据国外的参考文献上的实验模型和实验结果,对目前国内较新的SOI/SDB双极型晶体管进行可靠性评价实验,通过对反偏集电极电流IC,反偏基极电流IR,正偏输出特性下的基极电流IB和电流放大倍数β的测量,找出β和时间t之间的关系,从而推算出在各个偏压下,晶体管的使用寿命和β随时间变化的情况,并且建立了初步的模型。

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中国期刊全文数据库

前20条

1	张国艳,黄如,张兴,王阳元;SOI数模混合集成电路的串扰特性分析[J];半导体学报;2002年02期
2	栾兰,王雪峰,张斌;SOI电路的研制[J];微处理机;2003年04期
3	张鹏飞,钱佩信;定域无缺陷SOI的制备[J];微细加工技术;1992年03期
4	刘彦松,多新中,黄继颇,张苗,王连卫,林成鲁;SOI高温器件及其在汽车电子等领域中的应用[J];物理;1999年07期
5	刘新宇,孙海峰,海潮和,和致经,吴德馨;一种新型的SOI灵敏放大器[J];电子学报;2001年06期
6	郝跃,朱建纲,郭林,张正幡;SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究[J];物理学报;2001年01期
7	王小龙,余金中;光波导开关的最新进展[J];物理;2003年03期
8	连军,海潮和,韩郑生,赵洪辰,杨荣;N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究[J];电子器件;2004年01期
9	王敬,屠海令,刘安生,周旗钢,朱悟新,张椿;SOI键合材料的TEM研究[J];稀有金属;1998年04期
10	魏红振,余金中,张小峰,刘忠立,史伟,房昌水;SOI集成光电子器件[J];半导体光电;2001年01期
11	李映雪,张兴,黄如,王阳元,罗晏;SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为[J];半导体学报;2001年08期
12	卜伟海,黄如,徐文华,张兴;SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析[J];半导体学报;2001年09期
13	云振新;RFSOICMOS技术及其应用[J];电子元件与材料;2003年07期
14	黄如,王阳元;深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型[J];半导体学报;2000年05期
15	樊瑞新;SOI结构制备工艺进展[J];材料科学与工程;2000年02期
16	温梦全;SOI/SIMOX-CMOS器件的研究[J];北京航空航天大学学报;2001年01期
17	严清峰,余金中;SOI光波导开关研究进展[J];激光与红外;2001年04期
18	刘淑平;SOI脊形光波导的设计与研制[J];太原重型机械学院学报;2001年03期
19	谭利文,王俊,王启元,郁元桓,刘忠立,邓惠芳,王建华,林兰英;热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进[J];半导体学报;2002年11期
20	毕津顺;海潮和;;SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性(英文)[J];半导体学报;2006年09期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	张鹏;章晓文;李斌;陈平;;SDB/SOI双极型晶体管可靠性评价[A];第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2005年
2	周乐文;窦文华;安蔚钊;;SOI技术及其抗辐照能力研究[A];第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛论文集（A辑）[C];2011年
3	张兴;王阳元;;低压低功耗集成电路:SOI技术的新机遇[A];信息科学与微电子技术:中国科协第三届青年学术年会论文集[C];1998年
4	孙红胜;彭振哲;;MATLAB在双极型晶体管特性曲线讲授中的应用[A];教育部中南地区高等学校电子电气基础课教学研究会第二十届学术年会会议论文集（上册）[C];2010年
5	冷月华;贾连希;胡挺;杨林;杨华军;;亚微米SOI光波导的模式及偏振特性分析[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（上册）[C];2009年
6	郭宇锋;王志功;;阶梯厚度漂移区SOI横向高压器件[A];第十届中国科协年会论文集（四）[C];2008年
7	郭宇锋;蹇彤;徐跃;王志功;;一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构[A];2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集[C];2008年
8	王茹;张正选;俞文杰;贺威;田浩;陈明;;总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）[C];2007年
9	毕大炜;张正选;张帅;俞文杰;陈明;;用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年
10	章晓文;恩云飞;;SOI器件的特性与失效机理[A];第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2005年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	胡盛东;SOI横向高压器件纵向耐压理论与新结构[D];电子科技大学;2010年
2	肖志强;SOI器件电离总剂量辐射特性研究[D];电子科技大学;2011年
3	金波;SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2005年
4	郭宇锋;SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究[D];电子科技大学;2005年
5	孙佳胤;GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2007年
6	贾晓玲;SOI-MMI光波导器件与光开关研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2005年
7	李劲;新型应变SGOI/SOI MOSFET的结构设计及性能分析[D];西安电子科技大学;2011年
8	罗小蓉;基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型[D];电子科技大学;2007年
9	乔明;基于高低压兼容工艺的高压驱动集成电路[D];电子科技大学;2008年
10	李康;超深亚微米集成电路可靠性设计与建模方法[D];西安电子科技大学;2005年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	李信;应变SOI材料物理与工艺技术研究[D];西安电子科技大学;2010年
2	袁泉;基于自隔离技术的可集成SOI高压（＞600V）器件研究[D];电子科技大学;2009年
3	闫斌;复合埋层SOI高压器件的数值仿真与实验研究[D];电子科技大学;2009年
4	李逢祥;SOI制备中氧离子注入缺陷的控制与研究[D];复旦大学;2011年
5	杨帆;400V薄层SOI高压器件研究[D];电子科技大学;2010年
6	黄玮;纳米SOI MOSFET器件性能仿真和新器件结构研究[D];江南大学;2011年
7	唐海马;注氧隔离SOI材料的抗总剂量辐照加固[D];济南大学;2010年
8	张锐;倾斜表面SOI横向高压器件的工艺与特性研究[D];南京邮电大学;2011年
9	魏雪观;SOI横向超结器件耐压理论研究[D];南京邮电大学;2012年
10	林敏之;新型SOI-LDMOS结构的设计与研究[D];复旦大学;2011年

中国重要报纸全文数据库

前7条

1	;日开发出钻石双极型晶体管[N];新华每日电讯;2011年
2	王罗毅;场效应管和双极型晶体管的比较和选择[N];北京电子报;2000年
3	湖南廖建兴;60W胆味放大器IC TDA7296[N];电子报;2004年
4	本报记者孙定;高频器件“三国演义”[N];计算机世界;2002年
5	湖南廖建新译;80W DMOS功率放大器TDA7295[N];电子报;2003年
6	江苏刘燕红;一款具有胆机韵味的前后级合并式高保真放大器的设计与制作[N];电子报;2009年
7	江苏娄福满;傻瓜功率运放IH010的应用[N];电子报;2011年

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