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90nm~65nm MOSFET总剂量效应的ISE仿真研究

孟志琴  唐瑜  曹艳荣  李永坤  
【摘要】:本文利用ISETCAD仿真软件,对90nm nMOSFET和pMOSFET的辐照总剂量效应进行仿真.从关态电流、阈值电压、跨导和亚阈斜率的变化来分析总剂量效应对90nm器件的影响.并分析了不同的剂量率下器件性能的变化,进而提出一种新的对于小尺寸器件Si/SiO_2界面模型,很好地解释了仿真结果.

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