LEC法生长InP长单晶

【摘要】：随着InP基光电器件、微电子器件的不断成熟和市场不断增长的需求,要求衬底成本要有效的降低。生长100晶向较长磷化铟单晶的技术已成为磷化铟晶片大批量生产必须解决的关键技术。本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析.设计了合适的热场系统.有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成.然后采用坩埚随动技术等生长单晶。使用的石英坩蜗内径为140mm.生长磷化铟单晶直径为50.8～76.2mm。通过不断的改进工艺重复地生长出了较长的100磷化铟单晶。洲试结果表明我们生长磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面.可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。生长的的总长210mm.单晶部分达到190mm长的2英寸 100晶向的InP单晶达到当前世界先进水平。