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Ge单晶薄膜在非晶Si层上的磁控溅射生长研究

杨宇  
【摘要】:正近十余年来,采用分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相淀积(MOCVD)等技术,在获得高质量的晶格匹配材料的基础上,广泛开展以Si/Ge为代表的Ⅳ族半导体应变层超晶格的研究。由于MBE、MOCVD设备昂贵、操作复杂、生产成本高等,不利于材料的大规模生产。磁控溅射

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