Ge单晶薄膜在非晶Si层上的磁控溅射生长研究

【摘要】：正近十余年来,采用分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相淀积(MOCVD)等技术,在获得高质量的晶格匹配材料的基础上,广泛开展以Si/Ge为代表的Ⅳ族半导体应变层超晶格的研究。由于MBE、MOCVD设备昂贵、操作复杂、生产成本高等,不利于材料的大规模生产。磁控溅射

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中国期刊全文数据库

前20条

1	张伟,张仕国,袁骏;Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜[J];半导体学报;1997年08期
2	盛柏桢;富士通开发成功高温超导材料——BiSrCaCuO的单晶薄膜生长技术[J];固体电子学研究与进展;1989年01期
3	冯士维;李瑛;孙静莹;谢雪松;杨集;张跃宗;卢毅成;;ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究[J];北京工业大学学报;2007年07期
4	沈新尹;NaCl(100)衬底上金外延生长的实验研究[J];真空科学与技术;1989年01期
5	陈庭金,袁海荣,刘翔;多片LPE生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs单晶薄膜[J];半导体光电;1998年05期
6	何华辉 ,龙兴武 ,张秀成 ,冯则坤 ,朱成德;多层复合单晶薄膜的外延生长[J];华中科技大学学报(自然科学版);1984年04期
7	孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺;分子束外延GaAs单晶薄膜[J];稀有金属;1984年06期
8	史其武;气相外延生长的ZnSe单晶薄膜及电致发光[J];发光学报;1982年01期
9	梁基本,孙殿照,陈宗圭,黄运衡,孔梅影;分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜[J];半导体学报;1986年06期
10	;日制成碳-60单晶薄膜[J];测控技术;1994年02期
11	;半导体技术[J];中国无线电电子学文摘;2000年05期
12	庞辉勇,赵广军,介明印,曾雄辉,夏长泰,周圣明,徐军;显微成像荧光屏用无机闪烁单晶薄膜的研究进展[J];无机材料学报;2005年02期
13	冯嘉猷，张芳伟，范玉殿，李恒德;ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究[J];半导体学报;1994年03期
14	胡初潜;Ta-W非晶合金薄膜[J];稀有金属;1991年04期
15	;镉、锌硫系化合物的单晶薄膜生长与电学性质[J];发光学报;1971年10期
16	钱勇之;非晶硅薄膜晶体管及其应用的最新进展[J];稀有金属;1991年03期
17	陈光华,张津燕,甘润今,张仿清;掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究[J];电子学报;1991年05期
18	王广才,孙建,耿新华,孙云,李洪波,刘世国,陆靖谷;非晶硅锗单结电池的研究[J];半导体杂志;1997年03期
19	孔梅影,孙殿照,黄运衡,梁基本,陈宗圭,李歧旺;分子束外延砷化镓单晶薄膜[J];半导体学报;1984年02期
20	刘嘉,章哲,林璇英;非晶硅太阳能电池用优质TCO膜研究[J];电子学报;1991年01期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	杨宇;;Ge单晶薄膜在非晶Si层上的磁控溅射生长研究[A];面向21世纪的科技进步与社会经济发展（下册）[C];1999年
2	王文秀;牛莉莎;;非晶碳化硅材料微结构描述[A];北京力学会第18届学术年会论文集[C];2012年
3	刘维;李林;徐立华;胡文斐;赵新杰;;斜切基片上同质、异质外延薄膜的TEM研究[A];第十一次全国电子显微学会议论文集[C];2000年
4	宋成;潘峰;;Co掺杂ZnO稀磁氧化物的局域结构与磁性[A];中国真空学会2008年学术年会论文摘要集[C];2008年
5	叶芸;蒋亚东;;非晶镍铁磁敏薄膜的巨磁阻抗效应[A];首届信息获取与处理学术会议论文集[C];2003年
6	白宣羽;汪渊;徐可为;范多旺;;Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率[A];薄膜技术学术研讨会论文集[C];2003年
7	张伟强;陈秀华;项金钟;王莉红;;集成电路亚45nm级铜布线扩散阻挡层WN薄膜的研究[A];2009中国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2009年
8	刘延辉;岑少易;周细应;;磁控溅射制备锌薄膜的工艺与分析[A];2008全国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2008年
9	尤力平;冉广照;;晶态Si_3N_4/非晶SiO_2同轴纳米线的电子显微学研究[A];2005年全国电子显微学会议论文集[C];2005年
10	邢如连;何润根;;非晶硅材料的ESR测试[A];第四届全国波谱学学术会议论文摘要集[C];1986年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	朱燕艳;Er_2O_3高k栅介质材料的分子束外延生长、结构及其物理特性[D];复旦大学;2006年
2	王伟;有机薄膜场效应晶体管、发光和显示驱动[D];吉林大学;2006年
3	姚然;MOCVD异质外延硅基ZnO和SiC薄膜及其特性研究[D];中国科学技术大学;2007年
4	王科范;Si表面Ge量子点的MBE外延生长及其结构表征[D];中国科学技术大学;2006年
5	武煜宇;宽带隙半导体SiC、ZnO的同步辐射光电子能谱研究[D];中国科学技术大学;2008年
6	郭树旭;并五苯晶体与薄膜的同质异相体及其电子过程[D];吉林大学;2006年
7	杨青慧;全频段石榴石薄膜性能及应用基础研究[D];电子科技大学;2009年
8	沈大可;新颖液晶光阀及紫外光电二极管阵列的研究[D];浙江大学;2003年
9	张素梅;有机薄膜场效应晶体管和高功率远结激光器的研究[D];吉林大学;2005年
10	孔令沂;镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究[D];山东大学;2011年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	李宾;基于磁控溅射技术的AT切石英晶体谐振器调频工艺研究[D];西安理工大学;2010年
2	陈宇林;基于磁控溅射技术的表面增强拉曼散射（SERS）基底制备及其特性研究[D];首都师范大学;2007年
3	蒋婧思;氧化锌掺铁稀磁半导体的制备和性质研究[D];北京交通大学;2008年
4	郭忠杰;硅基InN单晶薄膜的RF-MBE生长及其特性研究[D];吉林大学;2011年
5	何国金;应用于MIM-FEA的薄膜制备及其表征技术[D];福州大学;2005年
6	解玉鹏;磷掺杂p型氧化锌薄膜的制备和性能[D];吉林大学;2007年
7	杜鹏;直流磁控溅射法制备SnO_2薄膜及其气敏特性研究[D];河北工业大学;2007年
8	邓雷磊;ZnO薄膜的制备及其特性研究[D];厦门大学;2007年
9	张喜凤;高性能磁控溅射靶枪的设计[D];西安理工大学;2008年
10	吴国光;分子束外延生长AIN薄膜的初步研究[D];吉林大学;2008年

中国重要报纸全文数据库

前7条

1	葛飞记者王春;非晶硅技术有望降低太阳能发电成本[N];科技日报;2007年
2	;北京市：非晶产业创新示范基地揭牌[N];中国电子报;2009年
3	记者王秀兰;有机超高密度信息存储获突破[N];中国化工报;2005年
4	丁亚鹏;如东“非晶硅”引来“秋波”连连[N];新华日报;2008年
5	记者陈炳欣北京;中小尺寸需求推动LTPS高速增长日厂仍居主导地位[N];电子资讯时报;2006年
6	陈炳欣;异军突起的低温多晶硅（上）[N];电子资讯时报;2006年
7	DisplaySearch;2007年全球低温多晶硅TFT-LCD面板产值应用比例[N];电子资讯时报;2007年

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