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在n-GaN中注入Fe~+获得具有室温铁磁性的GaNFe材料

陈志涛  杨学林  张斌  杨志坚  姚淑德  张国义  
【摘要】:背景介绍:目前,在液晶显示背光源系统中,偏振片对光的过滤大大降低了光的利用效率,直接发偏振光的 GaN 基 LED 由于可避免此难题因而有望成为新一代的高效节能液晶显示背光源,对其进行研制具有深远的现实意义。在 LED 中实现发偏振光的重要途径之一是自旋偏振光 LED,即向 LED 有源区中实现有效自旋注入,根据选择定则实现偏振发光,已经报道采用 GaMnAs 稀磁材料研制的 LED 偏振度大于90%,但由于其居里温度还比较低, 不能得到广泛应用。研制 GaN 基自旋偏振光 LED 的关键技术之一在于寻找并制备出高质量的、具有高于室温铁磁性的 GaN 基稀磁半导体材料,GaNFe 便是此类材料体系中的成员之一。已有报道利用离子注入在 p 型 GaN 中注入 Fe~+获得了具有室温居里温度的 GaNFe,本文中我们将报道首次在 n 型 GaN 中注入 Fe~+并获得具有室温居里温度的 GaNFe 材料。

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