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从研磨过的Ga_2O_3粉末生长大尺度GaN纳米带和纳米线

简基康  陈小龙  贺蒙  王文军  张晓娜  沈峰  
【摘要】:经过研磨的Ga_2O_3粉末在1000℃条件下,与流动氨气直接反应,合成六方GaN纳米带、纳米线。样品的结构、形貌、成分通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和能量散射X射线谱(EDX)表征。分析显示所得GaN纳米带、纳米线为单晶六方结构。实验结果表明,用此简单的方法,可以无须模板和催化剂大尺度地合成GaN纳米带、纳米线。

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