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应用α源评估静态存储器的软错误

贺朝会  杨秀培  张卫卫  褚俊  任学明  夏春梅  王宏全  肖江波  李晓林  
【摘要】:存储器的软错误直接关系到产品的可靠性,为比较3种器件的抗软错误能力,实验测量了3种静态存储器(SRAM)的单粒子翻转错误数,计算了单粒子翻转截面和失效率。从单粒子翻转截面角度讲, A166M器件抗α粒子的能力最好,其次为B166M,最差是B200M。从失效率的角度讲,B166M的平均失效率比B200M的小,且两者都比A166M的小。

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