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N掺杂Ba_2SiO_4:Eu荧光粉发光性能的调控

谷鋆鑫  李耀刚  张青红  王宏志  
【摘要】:随着固体照明的发展,不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH_3中制备了N掺杂Ba_2SiO_4:Eu荧光粉,通过改变氮化时间实现了发光波长在500~510 nm内的调控。XRD结果表明,氮化后的粉体依然保持了Ba_2SiO_4的晶体结构。PL光谱表明,随着氮化时间的增加,N掺杂Ba_2SiO_4:Eu荧光粉的发射波长从500 nm红移至510 nm,同时激发峰位也出现红移,激发光谱明显宽化,在UV-LED芯片范围内(390~400 nm)激发强度明显提高,从而在配合UV-LED芯片合成白光方面显现良好的应用前景。

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