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应用于DRAM的高性能钛酸锶钡薄膜的制备研究

莫尚军  张继华  
【摘要】:用自主研发的射频磁控溅射设备在LaAlO_3基片上制备了用于动态随机存储器(DRAM)的钛酸锶钡(BST)薄膜,采用AFM和XRD对薄膜的微结构进行了分析,用LCR测试仪测试了薄膜的介电性能。结果显示800℃退火30 min的BST薄膜结晶性能良好,薄膜均方根表面粗糙度小于4.5 nm,1 MHz下介电常数为713,介电损耗为0.007。10 V偏压下,漏电流密度为1×10~(-7)A/cm~2。

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