通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系

【摘要】：以富P2‰配比合成的ZnGeP_2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和Ⅰ-Ⅴ曲线表明,生长的ZnGeP_2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×10~6Ω·cm。经定向切割后,得到10 mm×10 mm×2 mm的ZnGeP_2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP_2同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP_2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右,说明V_(Zn)~-对该条件下生长的ZnGeP_2单晶红外透过率影响较大,而V_P~0的影响较小。