收藏本站
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系

程江  朱世富  赵北君  赵欣  陈宝军  何知宇  杨慧光  孙永强  张羽  
【摘要】:以富P2‰配比合成的ZnGeP_2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和Ⅰ-Ⅴ曲线表明,生长的ZnGeP_2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×10~6Ω·cm。经定向切割后,得到10 mm×10 mm×2 mm的ZnGeP_2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP_2同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP_2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2~10μm波段则提高到近60%左右,说明V_(Zn)~-对该条件下生长的ZnGeP_2单晶红外透过率影响较大,而V_P~0的影响较小。

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 黎根;刘正东;赵顺才;郑军;;二维点缺陷三角晶格光子晶体的微腔结构[J];量子光学学报;2010年02期
2 顾秉林,楼永明,高乃飞,熊家炯;金属中点缺陷的电子结构和缺陷谱[J];物理学报;1986年01期
3 王应宗;立方晶体中点缺陷振动表示模与偏振喇曼强度的对应关系[J];陕西师范大学学报(自然科学版);1994年04期
4 王应宗;付克德;李乃英;;KCl:Pb~(2+)单晶中的低频喇曼信号及相应的点缺陷[J];陕西师范大学学报(自然科学版);1991年04期
5 王慧娟;陈成;邓联文;江建军;;硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学模拟[J];材料科学与工程学报;2007年02期
6 杜永昌,张玉峰;硅中的辐照点缺陷[J];物理;1985年01期
7 金庆华,冯少新,郭振亚,李宝会,丁大同;碱土氟化物离子晶体中点缺陷形成能计算[J];物理学报;1999年07期
8 白雪;晶体点缺陷反应方程式及有效电荷[J];内蒙古科技与经济;1999年S2期
9 娄卫华;王勇;王树忠;;2维光子晶体谐振腔的分析与模拟[J];强激光与粒子束;2008年03期
10 赵言诚;姜宇;苑立波;;二维声子晶体多点缺陷局域模的分离特性[J];人工晶体学报;2008年04期
11 祝文军,娄艳辉,丘岷;金属Zr中自间隙子扩散的分子动力学模拟[J];原子与分子物理学报;2005年04期
12 李晓春;易秀英;肖清武;梁宏宇;;三组元声子晶体中的缺陷态[J];物理学报;2006年05期
13 王坤鹏;张建秀;房昌水;赵显;于文涛;王圣来;顾庆天;孙洵;;KDP晶体中点缺陷Na取代K的电子结构研究[J];强激光与粒子束;2006年08期
14 宜晨虹;慕青松;苗天德;;带有点缺陷的二维颗粒系统离散元模拟[J];物理学报;2008年06期
15 吴红丽;赵新青;宫声凯;;Nb掺杂影响NiTi金属间化合物电子结构的第一性原理计算[J];物理学报;2010年01期
16 吕岿,王霞;双原子链中点缺陷引起的局域振动[J];江西师范大学学报(自然科学版);2002年04期
17 赵言诚;苑立波;;二维声子晶体点缺陷间的耦合特性[J];哈尔滨工程大学学报;2007年08期
18 房勇;杨改蓉;何林;纪红萱;何旭;;第一性原理计算分析冲击压缩下MgO电导率突降起因[J];西南大学学报(自然科学版);2009年09期
19 朱崇强;杨春晖;孙亮;;非线性光学晶体CdGeAs_2点缺陷的研究[J];化学进展;2010年Z1期
20 姜守振;李娟;陈秀芳;王英民;宁丽娜;于光伟;胡小波;徐现刚;王继杨;蒋民华;;6H-SiC晶片的退火处理[J];人工晶体学报;2006年05期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 程江;朱世富;赵北君;赵欣;陈宝军;何知宇;杨慧光;孙永强;张羽;;通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
2 陈志红;王丽慧;汪春梅;叶宏;;Bragg光纤光栅的实用化技术研究[A];2009年中国高校通信类院系学术研讨会论文集[C];2009年
3 陈柳炼;马斌;施永明;翟厚明;;氮气退火处理对氧化钒薄膜物理特性的影响[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年
4 张雯;王继扬;李红霞;;退火温度对脉冲激光沉积法制备的La_3Ga_5SiO_(14)薄膜性质的影响[A];第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2009年
5 孙宗琦;;振动位错拖曳点缺陷产生内耗的计算机模拟[A];内耗与超声衰减——第三次全国固体内耗与超声衰减学术会议论文集[C];1991年
6 吴平;杨国平;吕金钟;李文彬;;用簧片振动法研究辉光放电法制备的a-Si:H薄膜的内耗[A];内耗与超声衰减——第二次全国固体内耗与超声衰减学术会议论文集[C];1988年
7 朱震刚;费广涛;;小应变拉压循环载荷下位错与点缺陷交互作用的机制[A];内耗与超声衰减——第三次全国固体内耗与超声衰减学术会议论文集[C];1991年
8 任晓兵;张立学;;铁电马氏体中的电致形状记忆效应(英文)[A];第八届全国内耗与力学谱会议论文集[C];2006年
9 孙宗琦;;非线性非稳态位错内耗与自组织现象[A];内耗与超声衰减——第三次全国固体内耗与超声衰减学术会议论文集[C];1991年
10 陈吉星;朱德亮;李清华;马晓翠;贾芳;曹培江;吕有明;;退火对Co掺杂ZnO薄膜电磁性能的影响[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 魏显起;脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其光电性质研究[D];山东师范大学;2007年
2 冯少新;晶体缺陷能学计算及铌酸锂的缺陷结构[D];南开大学;2001年
3 吴炳俊;自由基辅助磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜的研究[D];中国科学技术大学;2010年
4 陈支勇;稀土掺杂SiC_xN_y薄膜制备及其性质研究[D];兰州大学;2010年
5 潘志云;Ge/Si和TiN/Si_3N_4低维体系的表面和界面研究[D];中国科学技术大学;2006年
6 殷桂琴;旋转涂敷法(SOD)制备硅基多孔低k薄膜材料的研究[D];苏州大学;2008年
7 荆兴斌;薄膜生长初期的分子动力学模拟研究[D];华中科技大学;2011年
8 何林;高温高压下(Mg,Fe)SiO_3和Al_2O_3的物性研究[D];西南交通大学;2008年
9 杨帆;镓铟氧化物薄膜的制备及性质研究[D];山东大学;2009年
10 杜文汉;锶硅表面体系的扫描隧道显微镜研究[D];中国科学技术大学;2009年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 杨诚;脉冲激光沉积GaN薄膜及ZnO缓冲层的影响[D];山东师范大学;2007年
2 刘晓艳;ZnO薄膜的制备与发光性能的研究[D];中南大学;2007年
3 赵谦;a-Si:H中的光致Er荧光及缺陷荧光研究[D];北京工业大学;2003年
4 张晓娜;Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体的缺陷分析与退火改性[D];西北工业大学;2001年
5 王博;高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷研究[D];四川大学;2007年
6 江涛;光子晶体中有限结构散射特性的研究[D];国防科学技术大学;2004年
7 马竹;对序参量守恒的界面生长系统中弛豫和点缺陷等因素的讨论[D];北京师范大学;2001年
8 路雪松;纳米孔阵列阳极氧化铝膜的制备及其性能的研究[D];四川大学;2006年
9 沙振东;掺杂SiC薄膜的结构和光致发光的研究[D];苏州大学;2006年
10 宋祥磊;面心立方金属点缺陷的计算机模拟[D];陕西师范大学;2006年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978