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退火对Co掺杂ZnO薄膜电磁性能的影响

陈吉星  朱德亮  李清华  马晓翠  贾芳  曹培江  吕有明  
【摘要】:采用磁控溅射技术,制备了Co掺杂ZnO薄膜,然后将样品分别在O_2和N_2气氛下以不同的温度进行退火处理;用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度较低(300℃)时,电阻稍有下降;当温度升高到400℃时,电阻大幅度上升,而且O_2气氛下退火比N_2下升高幅度大得多。同一温度下,样品在O_2气氛下退火的最大磁化强度比在N_2气氛下退火的要低;同一退火气氛下,样品的最大磁化强度随退火温度的升高而降低,这是由于不同气氛和温度下退火时,薄膜中氧空位浓度发生变化,从而导致其电磁性能的差异。

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