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真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化

索开南  闫萍  张殿朝  庞炳远  刘燕  董军恒  
【摘要】:介绍了生长电阻率1×10~4~2×10~4Ω·cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30~40 mm的低寿命区,之后随着生长的继续,寿命又会有明显的升高。此种现象在相同条件、相同原料生长的气氛单晶中就没有出现。利用金相电子显微镜对所发现的低寿命区进行了缺陷分析,结果在低寿命区的断面处均未发现漩涡、位错等对寿命影响较为严重的缺陷。

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