AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

【摘要】：设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEM结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlN_b插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的AlN_b生长时间介于15～20 s。对AlN_b生长时间为15 s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80 K时达8 849 cm~2/V·s,室温下为1 967cm~2/V·s,面密度始终保持在1.02×10~(13)cm~(-2)左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双AlN插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。

下载App查看全文

下载全文更多同类文献

PDF全文下载

CAJ全文下载

(如何获取全文？欢迎：购买知网充值卡、在线充值、在线咨询)

CAJViewer阅读器支持CAJ、PDF文件格式，AdobeReader仅支持PDF格式

	【相似文献】
	【相似文献】

中国期刊全文数据库

前20条

1	;发光与显示[J];光机电信息;2004年03期
2	张春福,郝跃,周小伟,李培咸,邵波涛;AlGaN PIN紫外探测器的结构及性能分析[J];电子器件;2005年02期
3	唐广,郝智彪,钱可元,罗毅;氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响[J];功能材料与器件学报;2004年04期
4	邵庆辉,叶志镇,黄靖云,赵炳辉,江红星,林景瑜;AlGaN肖特基势垒二极管的研制[J];浙江大学学报(工学版);2004年10期
5	郝跃,张金凤;AlGaN/GaN界面特性研究进展[J];微纳电子技术;2002年10期
6	刘祥林,王成新,韩培德,陆大成,王晓晖,汪度,王良臣;P型GaN和AlGaN外延材料的制备[J];高技术通讯;2000年08期
7	张锦文,张太平,王玮,宁宝俊,武国英;Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性[J];半导体学报;2001年06期
8	虞丽生,Qiao D,Lau S S;光电导及光反射法测量AlGaN薄膜的Al组分[J];量子电子学报;2000年05期
9	李玉增;Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料研究概述[J];稀有金属;1997年01期
10	王峰祥,郝跃;AlGaN紫外光电导探测器的研究[J];现代电子技术;2004年06期
11	史会芳;李培咸;李慧;;AlN缓冲层对AlGaN表面形貌的影响[J];电子科技;2010年07期
12	李亮,张荣,谢自力,张禹,修向前,姬小利,刘成祥,毕朝霞,陈琳,周建军,刘斌,韩平,江若琏,顾书林,施毅,龚海梅,郑有炓;AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长[J];激光与红外;2005年11期
13	周玉刚,李卫平,沈波,陈鹏,陈志忠,臧岚,张荣,顾书林,施毅,郑有翀;光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN[J];高技术通讯;2000年08期
14	李倜;潘华璞;徐科;胡晓东;;GaN基激光器电子阻挡层的优化分析[J];半导体学报;2006年08期
15	周梅;左淑华;赵德刚;;一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器[J];物理学报;2007年09期
16	颜廷静;种明;赵德刚;张爽;陈良惠;;246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制[J];红外与激光工程;2011年01期
17	邵会民;张世林;谢生;李献杰;尹顺正;蔡道民;毛陆虹;;背照式AlGaN/GaN基PIN日盲型紫外探测器的研制[J];光电子.激光;2011年07期
18	范品忠;基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关[J];激光与光电子学进展;2002年03期
19	洪灵愿,刘宝林;AlN /GaN分布布拉格反射器反射率的研究[J];集美大学学报(自然科学版);2005年02期
20	赵德刚,杨辉,梁骏吾,李向阳,龚海梅;AlGaN材料的MOCVD生长研究[J];激光与红外;2005年11期

中国重要会议论文全文数据库

前8条

1	康俊勇;;高Al组分AlGaN的P型结构设计与制备[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
2	郭智博;汪莱;郝智彪;;基于AlGaN/GaN HEMT结构的溶液pH值传感器[A];2011中国材料研讨会论文摘要集[C];2011年
3	李献杰;齐利芳;赵永林;尹顺政;蔡道民;过帆;;GaN/AlGaN异质结单片集成紫外红外双色探测器的研制[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年
4	;Influence of High-temperature AIN Buffer Layer Thickness on Properties of AlGaN/GaN Heterostructure Grown by MOCVD[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
5	;Morphology of AlGaN/GaN on Vicinal Sapphire Substrate Grown by MOCVD[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
6	李亮;李忠辉;董逊;周建军;孔月婵;姜文海;陈辰;;Si掺杂对MOCVD生长的n型Al_(0.5)Ga_(0.5)N的影响[A];第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
7	赵红;赵文伯;周勇;杨晓波;;AlGaN紫外光探测器外延材料生长研究[A];2004全国图像传感器技术学术交流会议论文集[C];2004年
8	刘斌;张荣;谢自力;张曾;李亮;刘启佳;赵红;修向前;陈鹏;陆海;顾书林;江若琏;韩平;施毅;郑有炓;;P型Al_xGa_(1-x)N(0≤x≤0．31)薄膜光电学性质研究[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	杜江锋;X波段AlGaN/GaN HEMT器件物理与相关实验研究[D];电子科技大学;2010年
2	吕元杰;AlGaN/GaN异质结材料与器件的特性参数研究[D];山东大学;2012年
3	赵子奇;AlGaN/GaN HFET击穿特性分析与耐压新结构[D];电子科技大学;2013年
4	桑磊;AlGaN/GaN HEMT功率器件建模研究及高效率放大器设计[D];电子科技大学;2013年
5	卢盛辉;AlGaN/GaN HEMT物理模型与器件耐压研究[D];电子科技大学;2010年
6	陈军峰;AlGaN/GaN超晶格p型掺杂及输运特性研究[D];西安电子科技大学;2010年
7	孙合辉;GaN/AlGaN多量子阱薄膜微结构与光电性能研究[D];哈尔滨工业大学;2013年
8	张伟;AlGaN/GaN超晶格红外/紫外双色光电探测器研究[D];西安电子科技大学;2013年
9	田本朗;栅介质的介电特性对AlGaN/GaN MISHEMTs性能影响研究[D];电子科技大学;2013年
10	谢刚;高压AlGaN/GaN HEMTs的新结构与场优化技术[D];电子科技大学;2012年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	马平;AlGaN/GaN低温特性研究[D];西安电子科技大学;2012年
2	马腾;AlGaN/GaN HEMT器件的建模及放大器设计[D];西安电子科技大学;2010年
3	邹翔;AlGaN/GaN微波功率器件建模与功率合成研究[D];电子科技大学;2010年
4	李婷婷;AlGaN/GaN HEMT退化机制及抑制方法[D];西安电子科技大学;2011年
5	姚庆阳;纤锌矿GaN和AlGaN体材料输运特性的解析模型及其应用研究[D];西安电子科技大学;2011年
6	申艳芬;AlGaN/GaN HEMT的模拟及研究[D];山东大学;2011年
7	颜雨;AlGaN/GaNHEMT的特性及抑制电流崩塌的研究[D];西安科技大学;2011年
8	刘成;适用于日盲紫外探测器的高Al组分n型AlGaN的生长[D];华中科技大学;2011年
9	李瑶;高Al组分AlGaN薄膜的分子束外延生长及其表征[D];重庆师范大学;2012年
10	曹芝芳;AlGaN/AIN/GaN异质结肖特基接触特性研究[D];山东大学;2012年

	快捷付款方式		订购知网充值卡	订购热线	帮助中心
	微信支付支付宝银行卡	知网卡在线购卡更多>>	免费送卡上门银行汇款购卡邮局汇款购卡	400-819-9993 010-62982499 010-62783978	常见问题在线咨询阅读器下载	充值中心知网卡新手指南