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射频等离子体刻蚀SiO_2的数值研究

赵占强  戴忠玲  王友年  
【摘要】:正随着大规模集成电路的发展,对刻蚀线宽要求越来越窄,等离子体刻蚀已成为亚微米及以下尺度最主要的刻蚀技术。刻蚀工艺过程的理论研究为优化工艺参数,提高刻蚀质量和效率提供了全面的理论指导。在半导体加工工艺中,选择的刻蚀材料常常是硅和二氧化硅。因此,研究相关的刻蚀机理具有一定的实际意义。本文针对离子输运物理特性和刻蚀剖面演化,分别采用蒙特卡洛方法和类似"元胞自动机"方法,研究了射频偏压条件下刻蚀槽及附近的离子输运特性以及二氧化硅刻蚀剖面演化规律。刻蚀剖面演化过程主要考虑了与入射离子的能量及

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