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中性气体流动对PECVD放电过程的影响

徐翔  冯杰  王友年  
【摘要】:正等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺是半导体工业中重要技术之一,可在比CVD上艺低的多的温度下实现薄膜沉积(CVD工艺通常要7,8百摄氏度)。温度太高(如500摄氏度以上)往往会对芯片或其他材料产生损害作用,因此,PECVD工艺在半导体工业中有不可替代的作用,常用来沉积非晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。对于薄膜沉积过程而言,一个非常重要的参数是薄膜沉积的径向均匀性。

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