双频容性耦合等离子体源中化学活性气体放电特性的研究
【摘要】:正各向异性刻蚀一直是半导体工业中的一项核心技术,工由于反应性等离子体具有很高的化学活性,用于刻蚀工艺的化学活性气体,在等离子体源中经电离后,可以产生具有很高化学活性的离子和自由基团,这些化学活性粒子很容易与极板上的基材发生化学反应,在刻蚀中扮演着重要的角色,
【相似文献】 | ||
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
【相似文献】 | ||
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||
|