ZrB_2-SiC复合材料界面非晶层的形成机理
【摘要】：ZrB~2-SiC复合材料中的同质界面和异质界面处会生成界面非晶层(IGF),IGF对高温陶瓷及其复合材料的性能有直接的影响。本文采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了ZrB~2-SiC复合材料,对复合材料界面处生成的IGF特征进行了研究,阐述了IGF的形成机理,并对IGF的调控进行了展望,为减少ZrB~2-SiC复合材料中的IGF和提高材料的性能提供了一定的理论指导。
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