磁控溅射制备SiC薄膜的拉曼特性研究
【摘要】:采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜,利用拉曼光谱分析了衬底温度和功率对SiC薄膜结构的影响。结果表明,薄膜中既含有晶型SiC又含有非晶型SiC,同时还含有石墨相和无定形碳。随着衬底温度的升高,SiC拉曼特征峰向低波数方向移动,薄膜晶粒尺寸减小,薄膜结晶程度提高。在衬底温度为室温条件下,功率对薄膜结构的影响较小。
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