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氨热法生长氮化镓单晶过程中的流动及传热计算

陈启生  
【摘要】:正 氮化镓(GaN)可以用于制造兰色/绿色/紫外LED和高温、高功率电子器件。GaN衬底对于氮化物薄膜具有晶格匹配、同构等特点,是用于高质量Ⅲ族氮化物外延生长的理想衬底。GaN的块状单晶可以利用氨热法从超临界液体中生长。氨热法利用氨作为液体,而水热法利用水作为液体。在氨热法单晶生长过程中,矿化剂如氨基化合物、叠氮化物被用于在200℃-500℃和1-4 kba条件下攻击块状氮化物原料。隔板的设计是成功生长GaN晶体的关键。隔板被用于隔离原料分解区与晶体生长区,

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