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《第九届全国光电技术学术交流会论文集(上册)》2010年
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CMOS工艺兼容红外焦平面阵列的设计及制作

明安杰  陈大鹏  欧文  王玮冰  何伟  刘占峰  
【摘要】:研究了一种与CMOS工艺兼容的红外焦平面阵列,在SOI的顶层硅制作横向PN结敏感单元,多晶硅作为微像素支撑桥,氧化层和非晶硅填充的深槽作为XeF2释放阻挡结构。首先,对基于PN结温阻效应的器件的基本工作原理进行了分析探索;在此基础上,通过ISE-TCAD软件仿真得到了器件在300K~340K温度区间PN结正向I-V曲线,并通过参数提取得到了温度灵敏度;最后,采用SOI基底片在CSMC的0.8um标准CMOS工艺线成功进行流片,给出了器件制作及测试结果,测试和模拟结果吻合。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 陈水桥;PN结正向压降温度特性的研究和应用[J];物理实验;2000年07期
【共引文献】
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1 吴鹏;耿丽霞;路杰;郑勇;;工程用井中温度测量仪的研制及应用[J];大地测量与地球动力学;2011年S1期
2 李海宝;;PN结正向电压与温度关系实验中的实际问题[J];大学物理实验;2005年04期
3 张连芳,晋青珍,王延吉;Ag-Bi高温超导线材转变温度的测量[J];低温与超导;2003年03期
4 孙方,宋慧滨,吴建辉;一种实时检测芯片内部温度的电路实现[J];电子器件;2003年03期
5 曾刚,杨宏春;利用PN结V_f-T特性测温[J];实验技术与管理;2005年07期
6 周党培;陈业仙;;PN结正向伏安特性随温度变化的实验设计[J];实验科学与技术;2012年02期
7 唐丽华;;基于PASCO平台的温度信息采集[J];实验室研究与探索;2007年05期
8 蓝永海;薛新;;一种发射机功率控制温度补偿方法[J];通信对抗;2012年03期
9 张德根;;数字万用表测量二极管导通压降的温度特性[J];中国科技信息;2012年21期
10 王翔;;电压温度对三极管PN结线性特性测量的影响[J];咸阳师范学院学报;2012年06期
中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 王吉有;王炳章;;PN结反向饱和电流的测量[A];第六届全国高等学校物理实验教学研讨会论文集(下册)[C];2010年
2 胡险峰;;由三极管发射结正向伏安特性测量e/k比值和内建电势[A];第六届全国高等学校物理实验教学研讨会论文集(下册)[C];2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前7条
1 贺建伟;基于ARM9电加热炉温度的采集和控制[D];西安电子科技大学;2011年
2 王海恩;半导体分立器件综合测试硬件系统的研究[D];电子科技大学;2011年
3 丰瀚麟;低成本小功率光伏并网逆变器研究[D];南京航空航天大学;2010年
4 庞增俊;一种热疏导型大功率输出级电路[D];贵州大学;2007年
5 林洁馨;一种10W半导体大功率乙类输出级的设计[D];贵州大学;2007年
6 邓林峰;RSD的换流物理模型研究[D];华中科技大学;2007年
7 周照松;大功率半导体器件在电容储能脉冲功率源中的特性研究[D];南京理工大学;2010年
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中国期刊全文数据库 前10条
1 刘成康,李兵,汪涛,袁祥辉;致冷型红外CMOS读出集成电路的发展现状[J];红外技术;2000年04期
2 袁祥辉,黄友恕,吕果林;128×128 IRFPA CMOS读出电路[J];红外技术;2002年03期
3 张文肃;武筠;;体硅和SOI材料及器件辐射加固技术评述[J];半导体杂志;1997年01期
4 Tsutomu Ishihara ,蔡永才;CMOS硅集成压力传感器[J];微电子学;1988年04期
5 郑;性能超过晶体的CMOS时钟[J];电子产品世界;2001年15期
6 ;单片CMOS功率放大器Si4300[J];国外电子元器件;2004年07期
7 周玮;吴贵能;李儒章;;一种高电源抑制比CMOS运算放大器[J];微电子学;2009年03期
8 陆建华,王志功,田磊,陈海涛,谢婷婷,陈志恒,董毅,谢世钟;0.35μm CMOS 8.5GHz1∶8分频器的设计(英文)[J];半导体学报;2003年04期
9 刘明,米丹,喻德顺,陈智;CMOS集成电路设计技术研究[J];微处理机;2004年04期
10 曹寒梅;杨银堂;陆铁军;王宗民;蔡伟;;快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计(英文)[J];电子器件;2008年05期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 明安杰;陈大鹏;欧文;王玮冰;何伟;刘占峰;;CMOS工艺兼容红外焦平面阵列的设计及制作[A];第九届全国光电技术学术交流会论文集(上册)[C];2010年
2 ;Nonlinearity Analysis of CMOS LNA Based on Volterra Series[A];2002海峡两岸三地无线科技研讨会论文集[C];2002年
3 苏利;;数字电路实验中CMOS器件的应用探讨[A];教育部中南地区高等学校电子电气基础课教学研究会第二十届学术年会会议论文集(上册)[C];2010年
4 周治平;;新型CMOS栅极堆栈结构及材料——21世纪对微电子工业的巨大挑战(英文)[A];信息科学与微电子技术:中国科协第三届青年学术年会论文集[C];1998年
5 王锦阳;;CMOS技术按比例缩小及对老化的影响[A];中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会论文选[C];2008年
6 李兴鸿;史君;赵俊萍;赵春荣;董亚宁;;CMOS集成电路异常漏电失效机理分析[A];中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会论文选[C];2006年
7 陈睿;陆妩;任迪远;郑玉展;王义元;费武雄;李茂顺;兰博;;不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应[A];中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集(第一卷·第7册)[C];2009年
8 卫宁;于伦正;郭红霞;党军;;二次包封CMOS器件电子辐照实验研究[A];第四届电子产品防护技术研讨会论文集(续)[C];2004年
9 吕继方;王铮;魏微;严雄波;;高精度CMOS峰值保持电路设计[A];第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集[C];2010年
10 程勇;潘敏;杨依忠;;一种新型的低电压低功耗CMOS电流传输器设计[A];全国第20届计算机技术与应用学术会议(CACIS·2009)暨全国第1届安全关键技术与应用学术会议论文集(下册)[C];2009年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 成都 李平;CMOS和TTL电路的特点、区别及使用注意事项[N];电子报;2011年
2 子良 摘译;通用CMOS/TTL逻辑和时钟探头[N];电子报;2009年
3 ;AMD发布世界速度最快的CMOS晶体管[N];中国高新技术产业导报;2001年
4 江苏 顾振远;CMOS施密特触发器的工作原理及应用(上)[N];电子报;2011年
5 cyf 翻译;射频CMOS功率放大器——理论、设计及运行(16)[N];电子报;2008年
6 江苏 顾振远;简单的CMOS脉冲解调器[N];电子报;2011年
7 江苏 顾振远;CMOS脉冲倍频器[N];电子报;2008年
8 ;光通信芯片将趋向于采用CMOS工艺[N];中国电子报;2009年
9 黄;CMOS功放使单芯片RF成现实[N];中国电子报;2000年
10 nicolaz;CMOS为什么可作专业相机的感光元件?[N];电脑报;2004年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 舒斌;Si基应变三维CMOS关键技术研究[D];西安电子科技大学;2007年
2 余长亮;全差分光电集成接收机的研究与标准CMOS工艺实现[D];天津大学;2010年
3 金博识;CMOS线性射频功率放大器的研究[D];哈尔滨工业大学;2011年
4 李辛毅;红外焦平面阵列读出信号处理电路设计关键技术研究[D];天津大学;2010年
5 屈江涛;硅基应变CMOS研究与设计[D];西安电子科技大学;2012年
6 杨广华;标准CMOS工艺硅基LED器件设计及实验分析[D];天津大学;2010年
7 马晓华;90nm CMOS器件强场可靠性研究[D];西安电子科技大学;2006年
8 李浩;深亚微米CMOS工艺下模拟集成电路的数字增强技术研究[D];中国科学技术大学;2010年
9 刘宝宏;CMOS工艺的低电压低噪声放大器研究[D];上海交通大学;2011年
10 金晶;CMOS射频频率综合器的研究设计与优化[D];上海交通大学;2012年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 钱立旺;0.6μm CMOS 622Mb/s高速分接器设计[D];合肥工业大学;2004年
2 吴国峰;CMOS毫米波功率放大器研究及设计[D];杭州电子科技大学;2011年
3 胡骁;多模多频收发机中CMOS正交变频器的设计和实现[D];华东师范大学;2011年
4 黄晓华;CMOS低噪声放大器的设计与优化[D];浙江大学;2010年
5 张静;CMOS低压微功耗折叠式共源—共栅运放设计[D];江苏大学;2010年
6 兰萍;低电压高线性CMOS混频器的研究与设计[D];西南交通大学;2010年
7 汤洵;新型低功耗桥式结构CMOS音频功放的设计[D];武汉科技大学;2010年
8 袁帅军;CMOS电流模式射频混频器研究[D];湖南大学;2010年
9 李晓磊;CMOS射频有源集成混频器分析与设计[D];电子科技大学;2011年
10 高俊君;基于CMOS工艺射频前端混频器研究[D];杭州电子科技大学;2011年
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