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《第九届全国光电技术学术交流会论文集(上册)》 2010年
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CMOS工艺兼容红外焦平面阵列的设计及制作

明安杰  陈大鹏  欧文  王玮冰  何伟  刘占峰  
【摘要】:研究了一种与CMOS工艺兼容的红外焦平面阵列,在SOI的顶层硅制作横向PN结敏感单元,多晶硅作为微像素支撑桥,氧化层和非晶硅填充的深槽作为XeF2释放阻挡结构。首先,对基于PN结温阻效应的器件的基本工作原理进行了分析探索;在此基础上,通过ISE-TCAD软件仿真得到了器件在300K~340K温度区间PN结正向I-V曲线,并通过参数提取得到了温度灵敏度;最后,采用SOI基底片在CSMC的0.8um标准CMOS工艺线成功进行流片,给出了器件制作及测试结果,测试和模拟结果吻合。

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