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《2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集》2007年
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正、背照InGaAs探测器的性能对比研究

唐恒敬  吕衍秋  吴小利  张可锋  徐勤飞  李雪  龚海梅  
【摘要】:为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂 InGaAs 吸收层 PIN InP/InGaAs/InP 双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺,制备了8元台面 InGaAs 探测器,并测试了正照射和背照射时,器件的 I-V、信号和响应光谱。测试结果表明,正照射和背照射情况下,器件的响应信号差别不大,正照射下器件的平均峰值探测率为4.13×10~(11) cmH~(1/2)W~(-1),背照射下器件的平均峰值探测率为4×10~(11)cmnz~(1/2)W~(-1),但背照射情况下器件的响应光谱在短波方向有更好的截止。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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中国重要会议论文全文数据库 前1条
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中国博士学位论文全文数据库 前1条
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中国硕士学位论文全文数据库 前1条
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【二级参考文献】
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【相似文献】
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