基于纳米/微米VO_2红外探测器光电响应对比研究
【摘要】:新型纳米结构的二氧化钒(VO_2)热敏薄膜具有平均粒度为8nm 和在半导体相区电阻温度系数(TCR)为-6%~7%/K。而通常用于非致冷红外探测器的 VO_2具有微米结构,粒度为1~2μm、 TCR 约为-2%/K。采用同样的器件设计,制备了基于纳米结构和微米结构的 VO_2薄膜128元线列器件,并对两种器件的光电性能进行了对比研究。测试结果表明:基于纳米结构 VO_2的器件响应率较基于微米结构的 VO_2器件高近3倍,前者器件的探测性能较后者得到了明显的改善。
|
|
|
|
1 |
;国外簡訊[J];激光与红外;1971年05期 |
2 |
;关于红外探测器噪声的一些实际情况[J];激光与红外;1971年07期 |
3 |
昭华;;PbTe高频溅射红外探测器[J];激光与红外;1975年01期 |
4 |
单英杰;运放器在红外探测器中的应用[J];电子技术应用;1983年05期 |
5 |
祥雨;;国外动态[J];红外技术;1983年05期 |
6 |
曾庆泰;;3~5μm光导碲镉汞红外探测器的质量管理[J];激光与红外;1984年03期 |
7 |
KoukiNagahama;张少川;;高质量n-Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te外延膜的制备及其在红外探测器(λ=8~14μm)中的应用[J];激光与红外;1984年11期 |
8 |
陆荣铿;;红外器件与材料专题题录介绍(二)[J];红外与激光工程;1990年02期 |
9 |
濮家耀;;从抗光电干扰角度看对红外探测器的发展需求[J];航天电子对抗;1993年02期 |
10 |
刘心田;;高T_C超导红外探测器的发展[J];光电子技术;1993年04期 |
11 |
胡伟生;;红外探测器的原理与制作[J];电子制作;1996年07期 |
12 |
袁继俊;红外探测器的研究、生产和应用[J];激光与红外;1998年05期 |
13 |
高;红外探测器局部偏压结构与方法[J];红外;1998年11期 |
14 |
刘峥,邵贝羚,刘安生,王敬,王瑞忠,钱佩信;红外探测器微结构的HREM观察[J];半导体学报;1999年09期 |
15 |
王瑞忠,陈培毅,钱佩信,李永康,周均铭;HIP红外探测器与MOS读出开关的单片集成[J];清华大学学报(自然科学版);1999年S1期 |
16 |
高毓秋;一种自平衡温度的微型多波段红外探测器[J];红外;1999年03期 |
17 |
;光电子技术[J];电子科技文摘;2001年10期 |
18 |
吴峻苗,邹德恕,徐晨,沈光地;基于MEMS技术的气动式红外探测器的计算机模拟[J];仪器仪表学报;2004年S1期 |
19 |
刘立琼;红外技术在报警领域的应用[J];中国保安;2005年15期 |
20 |
;Q&A[J];中国安防产品信息;2006年03期 |
|