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《2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集》2007年
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真空退火对氧化钒薄膜的相成分和电学性能的影响

王银玲  李美成  彭化  赵连城  
【摘要】:利用真空退火工艺处理 p-Si(100)衬底上磁控溅射制备的氧化钒多晶薄膜。利用 X 射线衍射(XRD)分析、原子力显微镜(AFM)以及四探针测试方法,研究了退火时间对薄膜的相成分和电学性能的影响,并观察分析了氧化钒薄膜的表面形貌。研究结果表明,随着退火时间的变化, 薄膜的相成分不断发生变化,钒氧比例不断升高,可以得到多种氧化钒的相。适当的真空退火处理可以改善薄膜的表面质量,并且能有效地降低氧化钒薄膜的室温电阻率达两个数量级。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 王银玲,李美成,赵连城;磁控溅射氧化钒薄膜的相成分及电阻-温度特性[J];稀有金属材料与工程;2005年07期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前5条
1 李占文;单光宝;;用于MEMS非致冷红外传感器的氧化钒工艺[J];微纳电子技术;2011年07期
2 龙航宇;余志明;陈爽;魏秋平;刘学璋;;掺钨氧化钒薄膜的制备及研究[J];中国表面工程;2009年05期
3 晏伯武;;氧化钒薄膜热敏特性的研究[J];材料导报;2006年05期
4 李春伟;田修波;刘天伟;秦建伟;巩春志;杨士勤;;直流偏压对铝合金表面高功率脉冲磁控溅射沉积钒薄膜耐蚀性的影响[J];稀有金属材料与工程;2013年01期
5 梁继然;胡明;陈涛;刘志刚;;对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理[J];天津大学学报;2009年08期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 宋晶晶;张津;杨栋华;;溅射法制备VO_2薄膜的研究现状[A];2007高技术新材料产业发展研讨会暨《材料导报》编委会年会论文集[C];2007年
【相似文献】
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