真空退火对氧化钒薄膜的相成分和电学性能的影响
【摘要】：利用真空退火工艺处理 p-Si(100)衬底上磁控溅射制备的氧化钒多晶薄膜。利用 X 射线衍射(XRD)分析、原子力显微镜(AFM)以及四探针测试方法,研究了退火时间对薄膜的相成分和电学性能的影响,并观察分析了氧化钒薄膜的表面形貌。研究结果表明,随着退火时间的变化, 薄膜的相成分不断发生变化,钒氧比例不断升高,可以得到多种氧化钒的相。适当的真空退火处理可以改善薄膜的表面质量,并且能有效地降低氧化钒薄膜的室温电阻率达两个数量级。
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