真空退火对氧化钒薄膜的相成分和电学性能的影响

【摘要】：利用真空退火工艺处理 p-Si(100)衬底上磁控溅射制备的氧化钒多晶薄膜。利用 X 射线衍射(XRD)分析、原子力显微镜(AFM)以及四探针测试方法,研究了退火时间对薄膜的相成分和电学性能的影响,并观察分析了氧化钒薄膜的表面形貌。研究结果表明,随着退火时间的变化, 薄膜的相成分不断发生变化,钒氧比例不断升高,可以得到多种氧化钒的相。适当的真空退火处理可以改善薄膜的表面质量,并且能有效地降低氧化钒薄膜的室温电阻率达两个数量级。

【作者单位】：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨工业大学材料科学与工程学院哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
【基金】：国家自然科学基金(50502014)
【分类号】：TN215

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前1条

1	王银玲,李美成,赵连城;磁控溅射氧化钒薄膜的相成分及电阻-温度特性[J];稀有金属材料与工程;2005年07期

	【共引文献】
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前5条

1	李占文;单光宝;;用于MEMS非致冷红外传感器的氧化钒工艺[J];微纳电子技术;2011年07期
2	龙航宇;余志明;陈爽;魏秋平;刘学璋;;掺钨氧化钒薄膜的制备及研究[J];中国表面工程;2009年05期
3	晏伯武;;氧化钒薄膜热敏特性的研究[J];材料导报;2006年05期
4	李春伟;田修波;刘天伟;秦建伟;巩春志;杨士勤;;直流偏压对铝合金表面高功率脉冲磁控溅射沉积钒薄膜耐蚀性的影响[J];稀有金属材料与工程;2013年01期
5	梁继然;胡明;陈涛;刘志刚;;对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理[J];天津大学学报;2009年08期

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前1条

1	宋晶晶;张津;杨栋华;;溅射法制备VO_2薄膜的研究现状[A];2007高技术新材料产业发展研讨会暨《材料导报》编委会年会论文集[C];2007年

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前10条

1	梁耀廷,崔敬忠,达道安,刘向,李智;氧化钒薄膜制备与特性研究[J];真空与低温;2004年02期
2	崔敬忠,达道安,邱家稳,李喜梅,王枚;双靶磁控溅射制备掺W氧化钒薄膜的研究[J];真空与低温;1999年02期
3	胡典文,伍乃娟,沈电洪,齐上雪,谢侃;真空退火超导材料Ba_2Y_1Cu_3O_(7—δ)的光电子能谱研究[J];科学通报;1988年14期
4	张伟斌;高纯铝箔的真空退火[J];电子元件与材料;1985年02期
5	刘雄飞,肖剑荣,简献忠,高金定;真空退火对a-C:F:H薄膜的结构与光学带隙的影响[J];真空科学与技术;2004年05期
6	晏伯武;;氧化钒薄膜热敏特性的研究[J];材料导报;2006年05期
7	魏雄邦;吴志明;王涛;许庆宪;李建峰;蒋亚东;;氧化钒薄膜的制备技术及特性研究[J];材料导报;2007年S1期
8	李周;杨宝芳;屈玉珍;艾碧蓉;;H62黄铜片的光亮软化退火[J];光电工程;1984年02期
9	刘雪峰,黄德修,李再光;具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器[J];光通信技术;1993年02期
10	袁俊;太云见;李龙;秦强;魏虹;任华;;适用于非制冷焦平面探测器的氧化钒薄膜制备研究[J];红外技术;2009年06期

中国重要会议论文全文数据库

前9条

1	王银玲;李美成;彭化;赵连城;;真空退火对氧化钒薄膜的相成分和电学性能的影响[A];2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集[C];2007年
2	戴君;王兴治;何少伟;马宏;易新建;;磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究[A];2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集[C];2007年
3	胡明;梁继然;吴淼;吕宇强;韩雷;刘志刚;;非制冷红外探测器用高TCR氧化钒薄膜制备研究[A];2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集[C];2007年
4	付学成;李金华;谢太斌;谢建生;;离子束增强沉积法和溶胶-凝胶法制备的钨掺杂VO_2薄膜的性能比较[A];第十二届全国红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集[C];2009年
5	李卓昕;王丹妮;秦秀波;王宝义;魏龙;薛德胜;;退火对多孔硅材料发光性能的影响[A];第十届全国正电子湮没谱学会议论文集[C];2009年
6	杨海波;胡明;吕宇强;甄志成;张绪瑞;张伟;;非制冷红外探测器多孔硅绝热层的研究[A];第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集[C];2007年
7	李宇兵;刘文利;高建华;李蕾;裘南畹;;金属氧化物气敏薄膜的厚度效应(Ⅰ)——气敏薄膜厚度效应的实验规律[A];第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会论文集[C];2000年
8	乐务时;陈楠;龙高群;;微通道板真空烘烤氢还原工艺[A];第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第2分册）[C];2010年
9	孔金丞;张鹏举;孔令德;赵俊;李雄军;杨丽丽;姬荣斌;;非晶态碲镉汞薄膜研究[A];战略性新兴产业的培育和发展——首届云南省科协学术年会论文集[C];2011年

中国博士学位论文全文数据库

前9条

1	陈涛;具有相变特性的氧化钒薄膜制备与光学特性研究[D];天津大学;2011年
2	吴淼;非制冷红外探测器用高TCR氧化钒薄膜的制备研究[D];天津大学;2005年
3	吕宇强;氧化钒薄膜材料及非制冷红外探测器微结构设计的研究[D];天津大学;2007年
4	王宏臣;氧化钒薄膜及非致冷红外探测器阵列研究[D];华中科技大学;2006年
5	董鑫;MgZnO薄膜材料的MOCVD法生长、退火及其发光器件研究[D];大连理工大学;2008年
6	张晓;ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的制备及性能研究[D];南开大学;2010年
7	颜士明;磁性半导体(In_(1-x)Fe_x)_2O_3与xFeTiO_3-(1-x)Fe_2O_3的制备、结构和磁性的研究[D];兰州大学;2010年
8	潘杨;分子束外延生长InN薄膜和纳米结构及物性研究[D];武汉大学;2011年
9	郑昌佶;磷掺杂p型ZnO光电特性及稳定性研究[D];中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）;2010年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	赵佳明;智能激光防护材料：氧化钒薄膜的生长及其光电性能研究[D];大连理工大学;2012年
2	王麒;RF-溅射制备氧化钒薄膜及其电致开关特性研究[D];天津理工大学;2012年
3	温宇峰;非致冷红外探测器用氧化钒薄膜工艺研究[D];天津大学;2004年
4	韩雷;利用对靶磁控溅射在不同衬底上制备氧化钒薄膜的研究[D];天津大学;2007年
5	陈涛;利用金属氧化法在不同衬底上制备氧化钒薄膜的研究[D];天津大学;2008年
6	郭军峰;Cr、Fe掺杂ZnO以及Fe、Cu共掺ZnO稀磁半导体的研究[D];山西师范大学;2010年
7	商朗;VO_2薄膜的电光开关性能[D];华中科技大学;2008年
8	韦晓莹;基于VO_X薄膜的电致阻变特性的研究[D];天津理工大学;2011年
9	解玉鹏;磷掺杂p型氧化锌薄膜的制备和性能[D];吉林大学;2007年
10	贺鳞翔;铁电存储器用PZT薄膜的制备及性能研究[D];华中科技大学;2007年

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