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磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究

戴君  王兴治  何少伟  马宏  易新建  
【摘要】:用直流磁控溅射法在相对较低温度220℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9%/℃的 VO_x薄膜。通过 XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结果表明该 VO_x 薄膜非常适合用作非制冷红外探测器热敏材料。与传统的工艺相比,由于该薄膜淀积过程无需高温退火,在后期的红外焦平面制作过程中,可以较好地保护红外焦平面阵列的 CMOS 电路。

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