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倒筒式射频溅射自偏压对Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3热释电薄膜结构及性能的影响

赵强  罗一生  刘祚麟  马建福  张万里  
【摘要】:采用倒筒式射频溅射方法,在 Pt/Ti/SiO_2/Si 基片上制备了 Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3(简称 BST)薄膜。研究了自偏压对 BST 薄膜结构及电学性能的影响。在较高自偏压下制备的 BST 薄膜具有高度的(100) 择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强。在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10~(-7)C·cm~(-2)·K~(-1)。研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的 BST 薄膜。

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