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《2006年全国光电技术学术交流会会议文集(E 光电子器件技术专题)》2006年
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高速InP/InGaAs雪崩光电二极管

曾庆明  李献杰  蒲云章  乔树允  
【摘要】:采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZnp型欧姆接触、AuGeNin型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP做增益层,光敏面直径50μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32~42V,在低于击穿电压2V左右可以得到大约10A/W的光响应度,在0到小于击穿电压1V的偏压范围内,暗电流只有1nA左右;器件在2.7GHz以下有平坦的增益。

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