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《2006年全国光电技术学术交流会会议文集(B 光学系统设计与制造技术专题)》2006年
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0.5~22μm宽光谱ZnSe单晶窗口制备

王瑛伟  程灏波  
【摘要】:采用电阻加热水平物理输运法对生长ZnSe晶体的原料进行提纯,使其纯度达到5N(99.999%)。利用Bridgman单晶生长方式生长ZnSe晶体,所得晶体尺寸为φ35mm×100mm。在对晶体性能进行分析后,对晶体进行切割、研磨、抛光,获得粗糙度为光学四级的晶体器件。晶体抛光后未镀膜,在0.5~22μm的波长范围,平均透过率达到60%以上。晶体镀膜后,在波长为10.6μm处的透过率可达98%以上。

【参考文献】
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